| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 16894-1997 | 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-03-01 | 找相似 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1996-04-01 | 找相似 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2001-10-01 | 找相似 |
| GB/T 18904.1-2002 | 半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 找相似 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 找相似 |
| GB/T 18904.2-2002 | 半导体器件 第12-2部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 找相似 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-11-01 | 找相似 |
| GB/T 18802.321-2007 | 低压电涌保护器元件 第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范 | 现行 | 2008-02-01 | 找相似 |
| GB/T 18904.5-2003 | 半导体器件 第12-5部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范 | 现行 | 2003-08-01 | 找相似 |
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| GB/T 6351-1998 | 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| JB 5841-1991 | ZH系列200A以上管壳额定高压整流二极管 | 现行 | 1992-10-01 | 找相似 |
| JB 5837-1991 | ZP系列2000A以上管壳额定整流二极管 | 现行 | 1992-10-01 | 找相似 |
| JB 5836-1991 | ZK系列5A以上管壳额定快恢复整流二极管 | 现行 | 1992-10-01 | 找相似 |
| GB/T 15649-1995 | 半导体激光二极管空白详细规范 | 现行 | 1996-04-01 | 找相似 |
| QC/T 706-2004 | 机动车用硅雪崩整流二极管技术条件 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |