| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 7577-1996 | 低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 9424-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 12794-1991 | 电子设备用固定电容器 第15部分:空白详细规范 非固体电解质箔电极钽电容器 评定水平 E (可供认证用) | 现行 | 1991-04-15 | 1991-12-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6346.1401-2015 | 电子设备用固定电容器 第14-1部分：空白详细规范 抑制电源电磁干扰用固定电容器 评定水平D | 废止 | 2015-07-03 | 2016-03-01 |
| GB/T 6346.1101-2015 | 电子设备用固定电容器 第11-1部分：空白详细规范 金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ | 现行 | 2015-07-03 | 2016-03-01 |
| GB/T 6346.301-2015 | 电子设备用固定电容器 第3-1部分：空白详细规范 表面安装MnO2固体电解质钽固定电容器 评定水平EZ | 现行 | 2015-07-03 | 2016-03-01 |
| GB/T 42308-2023 | 电子设备用电位器 第6-1部分：空白详细规范 表面安装预调电位器 评定水平EZ | 现行 | 2023-03-17 | 2023-10-01 |
| GB/T 13062-2018 | 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 7340-1987 | 电子设备用固定电阻器 第六部分:空白详细规范 阻值和功耗不同， 各电阻器可单独测量的固定电阻网络 评定水平 E (可供认证用) | 现行 | 1987-03-02 | 1987-11-01 |
| GB/T 9432-1988 | 工业加热用四极管空白详细规范 (可供认证用) | 现行 | 1988-06-23 | 1989-02-01 |
| GB/T 6346.2501-2018 | 电子设备用固定电容器 第25-1部分：空白详细规范 表面安装导电高分子固体电解质铝固定电容器 评定水平EZ | 现行 | 2018-03-15 | 2018-07-01 |