| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 42706.5-2023 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 44635-2024 | 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级 | 现行 | 2024-09-29 | 2024-09-29 |
| GB/T 15879.4-2019 | 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系 | 现行 | 2019-08-30 | 2019-12-01 |
| GB/T 32872-2016 | 空间科学照明用LED筛选规范 | 现行 | 2016-08-29 | 2016-11-01 |
| DB32/T 4894-2024 | 微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 | 现行 | 2024-11-07 | 2024-12-07 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| SJ/T 11486-2015 | 小功率LED芯片技术规范 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2214-2015 | 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.10-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2216-2015 | 硅光电二极管技术规范 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.7-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.2-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |