Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 5839-1986 | 电子管和半导体器件额定值制 | 现行 | 1986-01-29 | 1986-12-01 |
| GB/T 6648-1986 | 半导体集成电路静态读/ 写存储器空白详细规范(可供认证用) | 现行 | 1986-07-31 | 1987-08-01 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 17940-2000 | 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 42848-2023 | 半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法 | 现行 | 2023-08-06 | 2023-12-01 |
| DB31/ 374-2024 | 半导体行业污染物排放标准 | 现行 | 2024-02-29 | 2024-05-01 |
| GB/T 1555-2023 | 半导体单晶晶向测定方法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 14548-2025 | 船用半导体变流器通用技术条件 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 11685-2003 | 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法 | 现行 | 2003-07-07 | 2004-01-01 |
| GB/T 18904.1-2002 | 半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 18904.4-2002 | 半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的Pin-FET模块空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 18904.2-2002 | 半导体器件 第12-2部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 14031-1992 | 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 | 现行 | 1992-12-17 | 1993-08-01 |
| GB/T 44181-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法 | 现行 | 2024-07-24 | 2024-07-24 |