Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 14028-2018 | 半导体集成电路 模拟开关测试方法 | 现行 | 2018-03-15 | 2018-08-01 |
| GB/T 43226-2023 | 宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 42838-2023 | 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 | 现行 | 2023-08-06 | 2023-12-01 |
| GB/T 29856-2013 | 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法 | 现行 | 2013-11-12 | 2014-04-15 |
| DB34/ 4294-2022 | 半导体行业水污染物排放标准 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-01-01 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 15872-2013 | 半导体设备电源接口 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 14119-1993 | 半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范(可供认证用) | 现行 | 1993-01-21 | 1993-08-01 |
| GB/T 14548-1993 | 船用半导体变流器通用技术条件 | 废止 | 1993-07-31 | 1994-02-01 |
| GB/T 14113-1993 | 半导体集成电路封装术语 | 现行 | 1993-01-21 | 1993-08-01 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 1990-12-06 | 2003-05-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 7509-1987 | 半导体集成电路微处理器空白详细规范 (可供认证用) | 现行 | 1987-03-25 | 1987-11-01 |