Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 8757-2006 | 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 废止 | 2013-12-31 | 2014-08-15 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 30856-2014 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 19199-2015 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 17170-2015 | 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 26068-2018 | 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-11-01 |
| GB/T 1553-2023 | 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 43682-2024 | 纳米技术 亚纳米厚度石墨烯薄膜载流子迁移率及方块电阻测量方法 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| DB65/T 3485-2013 | 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法 | 废止 | 2013-09-20 | 2013-12-01 |