Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 42907-2023 | 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| T/CASAS 026-2023 | 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| YS/T 679-2018 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 | 现行 | 2018-10-22 | 2019-04-01 |
| YS/T 679-2008 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 | 废止 | 2008-03-12 | 2008-09-01 |
| GB/T 1553-2009 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 26068-2010 | 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 | 废止 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 11094-2020 | 水平法砷化镓单晶及切割片 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 35305-2017 | 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片 | 废止 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 20228-2021 | 砷化镓单晶 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 11093-2007 | 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 | 现行 | 2007-09-11 | 2008-02-01 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 25075-2010 | 太阳能电池用砷化镓单晶 | 废止 | 2010-09-02 | 2011-04-01 |
| GB/T 18032-2000 | 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 | 现行 | 2000-04-03 | 2000-09-01 |
| GB/T 35305-2026 | 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| SJ/T 11490-2015 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11496-2015 | 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11497-2015 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |