Substrate glass for amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT)器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/FSI 121-2023 | 绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶 | 现行 | 2023-03-31 | 2023-04-30 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48170-2026 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 36289.2-2018 | 晶体硅太阳电池组件用绝缘薄膜 第2部分：氟塑料薄膜 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36289.1-2018 | 晶体硅太阳电池组件用绝缘薄膜 第1部分：聚酯薄膜 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/ZZB 2854-2022 | 晶体硅太阳电池组件用耐紫外线绝缘聚酯薄膜 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |
| ZJM-020-3633-2023 | 晶体硅太阳电池组件用耐紫外线绝缘聚酯薄膜 | 现行 | 2023-05-19 | 2023-05-19 |
| NB/T 10483-2020 | 三相干式非晶合金立体卷铁心配电变压器技术参数和要求 | 现行 | 2020-10-23 | 2021-02-01 |
| GB/T 19345.2-2017 | 非晶纳米晶合金 第2部分：铁基纳米晶软磁合金带材 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |