Technical specification for middle power light-emitting diode chips
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |
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| SJ/T 11818.3-2022 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
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| SJ/T 2214-2015 | 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
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| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2016-04-01 | 找相似 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2016-04-01 | 找相似 |
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| SJ/T 2749-2016 | 半导体激光二极管测试方法 | 现行 | 2016-06-01 | 找相似 |
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| SJ/T 2658.14-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 | 现行 | 2016-06-01 | 找相似 |
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| SJ/T 2658.15-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻 | 现行 | 2016-06-01 | 找相似 |