Tetramethylammonium hydroxide developer for thin film transistor-liquid crystal display(TFT-LCD)
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT)器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/FSI 121-2023 | 绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶 | 现行 | 2023-03-31 | 2023-04-30 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48170-2026 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| HB 8479-2014(2017) | 民用飞机有源矩阵液晶显示模块规范 | 现行 | 2014-07-09 | 2014-11-01 |
| GB/T 31376-2015 | 废弃电子电气产品拆解处理要求 液晶电视机及显示设备 | 现行 | 2015-02-04 | 2015-10-01 |
| GB/T 20314-2017 | 液晶显示器用薄浮法玻璃 | 现行 | 2017-09-07 | 2018-08-01 |
| GB/T 25275-2010 | 液晶显示器（LCD）用偏振片 光学性能和耐候性能测试方法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 42210-2022 | 液晶显示屏用点对点（P2P）信号接口 电参数 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-07-01 |
| GB/T 25276-2010 | 液晶显示器（LCD）用三醋酸纤维素酯（TAC）膜 厚度测定方法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |