| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 12964-2003 | 硅单晶抛光片 | 废止 | 2004-01-01 | 找相似 |
| GB/T 12965-2005 | 硅单晶切割片和研磨片 | 废止 | 2006-04-01 | 找相似 |
| GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 25076-2010 | 太阳电池用硅单晶 | 废止 | 2011-04-01 | 找相似 |
| GB/T 26071-2010 | 太阳能电池用硅单晶切割片 | 废止 | 2011-10-01 | 找相似 |
| GB/T 30656-2014 | 碳化硅单晶抛光片 | 废止 | 2015-09-01 | 找相似 |
| GB/T 35306-2017 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 废止 | 2018-07-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/ZZB 0648-2018 | 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-11-01 | —— |
| SJ/T 11976-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶 | 现行 | 2025-08-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 005-2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-12-17 | —— |
| T/ZSA 72-2019 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2020-03-01 | —— |
| ZJM-005-4643-2022 | TVS用硅单晶研磨片 | 现行 | 2022-08-30 | —— |
| GB 31338-2014 | 工业硅单位产品能源消耗限额 | 废止 | 2016-01-01 | 找相似 |