| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 1551-2021 | 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2023-04-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| GB/T 13389-2014 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 现行 | 2015-09-01 | 找相似 |
| JJF 1760-2019 | 硅单晶电阻率标准样片校准规范 | 现行 | 2020-03-27 | 找相似 |
| GB/T 26074-2010 | 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 | 现行 | 2011-10-01 | 找相似 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1990-01-01 | 找相似 |
| T/CASAS 036-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 现行 | 2025-04-23 | —— |
| GB/T 35306-2023 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 24581-2022 | 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2022-10-01 | 找相似 |
| GB/T 42263-2022 | 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2023-04-01 | 找相似 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2022-07-01 | 找相似 |
| YS/T 1600-2023 | 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 | 现行 | 2023-11-01 | 找相似 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2015-02-01 | 找相似 |