Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 34520.6-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第6部分：电阻率 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-02-01 |
| SJ/T 11864-2022 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 1551-2021 | 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 13389-2014 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 26074-2010 | 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| JJF 1760-2019 | 硅单晶电阻率标准样片校准规范 | 现行 | 2019-09-27 | 2020-03-27 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 10067.417-2023 | 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |