Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11500-2015 | 碳化硅单晶晶向的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| GB/T 31351-2014 | 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11502-2015 | 碳化硅单晶抛光片规范 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 30656-2014 | 碳化硅单晶抛光片 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 005-2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/ZSA 72-2019 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2019-12-31 | 2020-03-01 |
| GB/T 10195.1-1997 | 电子设备用压敏电阻器 第2部分:空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E | 现行 | 1997-12-09 | 1998-09-01 |
| DL／T 846.14-2023 | 高电压测试设备通用技术条件 第14部分：绝缘油介质损耗因数及体积电阻率测试仪 | 现行 | 2023-05-26 | 2023-11-26 |
| GB/T 5654-2007 | 液体绝缘材料 相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量 | 现行 | 2007-12-03 | 2008-05-20 |
| GB/T 2951.51-2008 | 电缆和光缆绝缘和护套材料通用试验方法 第51部分：填充膏专用试验方法 滴点 油分离 低温脆性 总酸值 腐蚀性 23℃时的介电常数 23℃和100℃时的直流电阻率 | 现行 | 2008-06-26 | 2009-04-01 |
| GB/T 31838.2-2019 | 固体绝缘材料 介电和电阻特性 第2部分：电阻特性(DC方法) 体积电阻和体积电阻率 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-01-01 |