Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| YS/T 1600-2023 | 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 | 现行 | 2023-04-21 | 2023-11-01 |
| T/CASAS 036-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| SJ/T 11864-2022 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 10067.417-2023 | 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 30656-2023 | 碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2023-03-17 | 2023-10-01 |
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-08-26 | 2021-09-26 |
| T/CIET 1279-2025 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） | 现行 | 2025-05-14 | 2025-05-14 |
| T/CASAS 048-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/IAWBS 001-2021 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |