Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 34520.8-2021 | 连续碳化硅纤维测试方法 第8部分：氧含量 | 现行 | 2021-08-20 | 2022-03-01 |
| GB/T 37254-2018 | 高纯碳化硅 微量元素的测定 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-09-01 |
| T/SCS 000012-2021 | 碳化硼-碳化硅芯块 微量元素的测定 电感 耦合等离子体发射光谱法 | 现行 | 2021-06-14 | 2021-06-30 |
| T/SCS 000013-2021 | 碳化硼-碳化硅芯块 无机阴离子（F-、Cl-、Br-、I-）的测定离子色谱法 | 现行 | 2021-05-14 | 2021-06-01 |
| T/CASAS 026-2023 | 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/CASAS 014-2021 | 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| SN/T 1043-2002 | 进出口碳化硅中三氧化二铝的测定--分光光度法 | 废止 | 2002-01-16 | 2002-06-01 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| SJ/T 11494-2015 | 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| EJ/T 1231.1-2008 | 重铀酸盐中杂质分析方法 第1部分：二氧化硅的测定 硅钼蓝分光光度法 | 现行 | 2008-03-17 | 2008-10-01 |
| GB/T 43612-2023 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 16555-2017 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2017-09-07 | 2018-08-01 |
| SN/T 1039-2020 | 进出口吨包装碳化硅取样制样方法 | 现行 | 2020-08-27 | 2021-03-01 |
| SN/T 5683-2024 | 硅铁和硅渣混合物中硅、硅铁（FeSi2）、α-碳化硅的定量相分析 X射线衍射K值法 | 现行 | 2024-12-31 | 2025-07-01 |
| GB/T 34520.2-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第2部分：单纤维直径 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |
| GB/T 34520.1-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第1部分：束丝上浆率 | 现行 | 2017-11-01 | 2018-05-01 |