Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 24581-2022 | 硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2022-10-01 | 找相似 |
| GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2022-07-01 | 找相似 |
| YS/T 1600-2023 | 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 | 现行 | 2023-11-01 | 找相似 |
| GB/T 35306-2023 | 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 35306-2017 | 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 | 废止 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2010-06-01 | 找相似 |
| SJ/T 11494-2015 | 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| GB/T 42263-2022 | 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2023-04-01 | 找相似 |
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| T/NXCL 29-2024 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2024-02-06 | —— |
| GB/T 1551-2021 | 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| T/CASAS 036-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 现行 | 2025-04-23 | —— |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2015-02-01 | 找相似 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 12964-2018 | 硅单晶抛光片 | 现行 | 2019-06-01 | 找相似 |
| GB/T 26069-2022 | 硅单晶退火片 | 现行 | 2022-10-01 | 找相似 |
| GB/T 12962-2015 | 硅单晶 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |