Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| SJ/T 11494-2015 | 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 24581-2022 | 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| YS/T 1600-2023 | 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 | 现行 | 2023-04-21 | 2023-11-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11500-2015 | 碳化硅单晶晶向的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |