Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 废止 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/CASAS 036-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 31351-2014 | 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 35306-2023 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 12964-2018 | 硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 26069-2022 | 硅单晶退火片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 12962-2015 | 硅单晶 | 现行 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |