Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41064-2021 | 表面化学分析深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 22572-2008 | 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法 | 现行 | 2008-12-11 | 2009-10-01 |
| GB/T 40109-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 32495-2016 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 | 现行 | 2016-02-24 | 2017-01-01 |
| GB/T 34326-2017 | 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法 | 废止 | 2017-09-29 | 2018-08-01 |
| GB/T 47073-2026 | 表面化学分析深度剖析 中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 34326-2026 | 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 25186-2010 | 表面化学分析 二次离子质谱 - 由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 43663-2024 | 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-10-01 |
| GB/T 45768-2025 | 表面化学分析 二次离子质谱 单离子计数飞行时间质谱分析器的强度标线性 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 20176-2025 | 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 40129-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 20176-2006 | 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 | 废止 | 2006-03-27 | 2006-11-01 |
| GB/T 32997-2016 | 表面化学分析 辉光放电发射光谱定量成分深度剖析的通用规程 | 现行 | 2016-10-13 | 2017-09-01 |
| GB/T 29557-2013 | 表面化学分析深度剖析 溅射深度测量 | 现行 | 2013-07-19 | 2014-03-01 |
| GB/T 20175-2025 | 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 32999-2016 | 表面化学分析深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率 | 现行 | 2016-10-13 | 2017-09-01 |
| GB/T 20175-2006 | 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法 | 废止 | 2006-03-27 | 2006-11-01 |