Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 1826-2016 | 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1834-2016 | 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11400-2009 | 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/ZSA 47-2020 | 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法 | 现行 | 2020-12-06 | 2020-12-07 |
| T/CASAS 011.1-2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| SJ/T 10259-1991 | 半导体集成电路CD2822CP双音频功率放大器详细规范 | 现行 | 1991-11-12 | 1992-01-01 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |