Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/CPSS 1004-2025 | 车规级功率半导体模块动态特性测试规范 | 现行 | 2025-01-22 | 2025-01-23 |
| T/IAWBS 004-2021 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 004-2017 | 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| T/CASAS 011.2-2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| SJ/T 12022-2025 | 功率半导体模块用有机硅凝胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12021-2025 | 功率半导体模块用环氧灌封胶 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12006-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| GB/T 48118-2026 | 功率半导体模块用陶瓷覆铜板 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1990-12-12 | 1991-10-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 1990-12-06 | 2003-05-01 |