首页/GB/T 43493.2-2023 相似标准

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection

GB/T 43493.2-2023推荐性国家标准

现行

上传时间：2026-02-27
总页数：24页
格式：pdf

GB/T 43493.2-2023 相似标准 第2页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
SJ/T 11865-2022功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 12005-2025功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板现行2025-09-092026-03-01
GB/T 36359-2018半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范现行2018-06-072019-01-01
DB61/T 1448-2021大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程废止2021-03-222021-04-22
GB/T 4937.34-2024半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环现行2024-03-152024-07-01
SJ/T 11848-2022半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11851-2022半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11850-2022半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11849-2022半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11866-2022半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范现行2022-10-202023-01-01
GB/T 36360-2018半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范现行2018-06-072019-01-01
GB/T 36358-2018半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范现行2018-06-072019-01-01
T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验现行2019-12-272019-12-31
GB/T 6217-2026半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范即将实施2026-03-312026-10-01
GB/T 7576-2026半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范即将实施2026-03-312026-10-01
SJ/T 1480-2016半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 1833-2016半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-04-052016-09-01
SJ/T 11393-2009半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范现行2009-11-172010-01-01