Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 1:General
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 20870.4-2024 | 半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 | 现行 | 2024-10-26 | 找相似 |
| GB/T 15879-1995 | 半导体器件的机械标准化 第5部分:用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值 | 废止 | 1996-08-01 | 找相似 |
| GB/Z 34954.2-2026 | 航空电子过程管理 电子器件使用性能 第2部分：半导体集成电路寿命 | 现行 | —— | 找相似 |
| GB/T 20870.3-2026 | 半导体器件 第16-3部分：微波集成电路 变频器 | 即将实施 | 2027-02-01 | 找相似 |
| GB/T 20870.6-2026 | 半导体器件 第16-6部分：微波集成电路 倍频器 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 20870.1-2026 | 半导体器件 第16-1部分 : 微波集成电路 放大器 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 20870.7-2026 | 半导体器件 第16-7部分：微波集成电路 衰减器 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1996-04-01 | 找相似 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1995-08-01 | 找相似 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-11-01 | 找相似 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2001-10-01 | 找相似 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-10-01 | 找相似 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-10-01 | 找相似 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 找相似 |
| DB61/T 1448-2021 | 大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程 | 废止 | 2021-04-22 | 找相似 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-11-01 | 找相似 |
| GB/T 20516-2006 | 半导体器件分立器件 第4部分：微波器件 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |