半导体器件 分立器件分规范

Semiconductor devices--Sectional specification for discrete devices

GB/T 12560-1999推荐性国家标准

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上传时间:2026-02-28
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更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 43366-2023宇航用半导体分立器件通用规范现行2023-11-272024-03-01
GB/T 6588-2000半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范现行2000-10-172001-10-01
GB/T 13151-2005半导体器件分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范现行2005-03-232005-10-01
GB/T 13150-2005半导体器件分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范现行2005-03-232005-10-01
GB/T 6589-2002半导体器件分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范现行2002-12-042003-05-01
GB/T 21039.1-2007半导体器件分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范现行2007-06-292007-11-01
GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范现行2006-10-102007-02-01
GB/T 6352-1998半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 7576-1998半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6219-1998半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6217-1998半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6590-1998半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6351-1998半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范现行1999-08-022000-03-01
SJ/T 11848-2022半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11851-2022半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11850-2022半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11849-2022半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01