Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 8446.1-2022 | 电力半导体器件用散热器 第1部分：散热体 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| YD/T 2001.2-2011 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 15879-1995 | 半导体器件的机械标准化 第5部分:用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值 | 废止 | 1995-12-22 | 1996-08-01 |
| GB/T 8446.3-2004 | 电力半导体器件用散热器 第3部分:绝缘件和紧固件 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 8446.2-2004 | 电力半导体器件用散热器 第2部分:热阻和流阻测试方法 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 8446.1-2004 | 电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 4937.25-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 42706.3-2025 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第3部分：数据 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.24-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 20521.2-2025 | 半导体器件 第14-2部分：半导体传感器 霍尔元件 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.29-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 20521.5-2025 | 半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.33-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.36-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.38-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.37-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |