Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.6-2023 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 20870.2-2023 | 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 20870.5-2023 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 4937.26-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM） | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 42709.19-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第19部分：电子罗盘 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 17574-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 9424-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17572-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 42709.7-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 13062-2018 | 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 4937.31-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的） | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |