半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
GB/T 29332-2012 相似标准 第7页
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4937.11-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.20-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.22-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 20870.1-2007 | 半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 | 现行 | 2007-02-09 | 2007-09-01 |
| GB/T 4937.3-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| GB/T 4937.4-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| GB/T 16464-1996 | 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
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| GB/T 20870.5-2023 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 4937.26-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM） | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |