Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 25186-2010 | 表面化学分析 二次离子质谱 - 由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 34174-2017 | 表面化学分析 工作参考物质中离子注入产生的驻留面剂量定值的推荐程序 | 现行 | 2017-09-07 | 2018-08-01 |
| GB/T 43663-2024 | 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-10-01 |
| GB/T 41064-2021 | 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 22572-2008 | 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法 | 现行 | 2008-12-11 | 2009-10-01 |
| GB/T 45768-2025 | 表面化学分析 二次离子质谱 单离子计数飞行时间质谱分析器的强度标线性 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 40109-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 20176-2025 | 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 32495-2016 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 | 现行 | 2016-02-24 | 2017-01-01 |
| GB/T 40129-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 20176-2006 | 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 | 废止 | 2006-03-27 | 2006-11-01 |
| GB/T 31723.406-2015 | 金属通信电缆试验方法 第4-6部分：电磁兼容 表面转移阻抗 线注入法 | 现行 | 2015-06-02 | 2016-02-01 |
| GB/T 31723.406-2026 | 金属电缆和其他无源元件试验方法 第4-6部分：电磁兼容 表面转移阻抗 线注入法 | 即将实施 | ||
| GB/T 15862-2012 | 离子注入机通用规范 | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| YS/T 1371-2020 | 离子注入机用钨材 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| GB/T 14141-2009 | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| EJ/T 647-1994 | 金属用工业离子注入机 | 现行 | 1994-11-11 | 1995-05-01 |
| SJ/T 12024-2025 | 半导体设备 集成电路制造 用离子注入机测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |