Semiconductor devices - Part 16-1: Microwave integrated circuits - Amplifiers
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10705-1996 | 半导体器件键合丝表面质量检验方法 | 现行 | 1996-07-22 | 1996-11-01 |
| SJ/T 10535-1994 | 半导体器件用钨舟 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10585-1994 | 半导体分立器件表面安装器件外型尺寸及引线框架尺寸 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| SJ/T 11820-2022 | 半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 7423.3-1987 | 半导体器件散热器 叉指形散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 7423.1-1987 | 半导体器件散热器 通用技术条件 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 43967-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-04-25 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| GB/T 249-2017 | 半导体分立器件型号命名方法 | 废止 | 2017-05-12 | 2017-12-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 249-2026 | 半导体分立器件型号命名方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| T/CI 544-2024 | 低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程规范 | 现行 | 2024-10-08 | 2024-10-08 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 11499-2026 | 半导体分立器件文字符号 | 即将实施 | ||
| JB 5842-1991 | 电力半导体器件用管芯定位环 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| JB 5843-1991 | 电力半导体器件用接插件 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |