Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4937.18-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐射(总剂量) | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 15879.5-2018 | 半导体器件的机械标准化 第5部分：用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-04-01 |
| GB/T 4937.17-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.19-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.12-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.14-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.201-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.15-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.30-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.21-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.11-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.20-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.22-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 4937.3-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| GB/T 4937.4-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| GB/T 16464-1996 | 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |