首页/GB/T 6352-1998 相似标准

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

GB/T 6352-1998推荐性国家标准

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GB/T 6352-1998 相似标准 第15页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
JB/T 7621-1994电力半导体器件工艺用高纯水现行1994-12-091995-06-01
JB/T 10501-2005电力半导体器件用管壳瓷件废止2005-03-192005-09-01
JB/T 9687.1-1999电力半导体器件用钼圆片现行1999-08-062000-01-01
JB/T 5843-2005电力半导体器件用接插件现行2005-03-192005-09-01
JB/T 5835-2005电力半导体器件用门极组合件现行2005-03-192005-09-01
JB/T 8320-1996电力半导体器件工艺用涂层石英玻璃管现行1996-04-111996-10-01
JB/T 10097-2000电力半导体器件用管壳废止2000-04-242000-10-01
JB/T 7622-1994电力半导体器件工艺用有机硅漆现行1994-12-091995-06-01
JB/T 8757-1998电力半导体器件用热管散热器废止1998-05-261998-12-01
JB/T 9684-2000电力半导体器件用散热器选用导则废止2000-04-242000-10-01
JB/T 9687.2-1999电力半导体器件用钨圆片现行1999-08-062000-01-01
GB/T 41853-2022半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量现行2022-10-122022-10-12
GB/T 41852-2022半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法现行2022-10-122022-10-12
JB 5781-1991电力半导体器件用型材散热器 技术条件现行1991-10-171992-10-01
GB/T 45722-2025半导体器件 恒流电迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45720-2025半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 32817-2016半导体器件 微机电器件 MEMS总规范现行2016-08-292017-03-01