Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 1480-2016 | 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1833-2016 | 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1826-2016 | 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1834-2016 | 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |