Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 20516-2006 | 半导体器件分立器件 第4部分：微波器件 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| GB/T 4589.1-2006 | 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 | 现行 | 2006-10-10 | 2007-02-01 |
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 15651.3-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件分立器件 第5-4部分:光电子器件半导体激光器 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 17573-1998 | 半导体器件分立器件和集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 4023.1-2026 | 半导体分立器件 第1部分：分规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 37312.1-2019 | 航空电子过程管理 航空航天、国防及其他高性能应用领域（ADHP）电子元器件 第1部分：高可靠集成电路与分立半导体器件通用要求 | 现行 | 2019-03-25 | 2019-10-01 |
| GB/Z 127.1-2025 | 航空电子过程管理 航空航天合格电子元器件（AQEC） 第1部分：集成电路和半导体分立器件 | 现行 | 2025-12-03 | |
| GB/Z 102.17-2026 | 半导体器件分立器件 第17部分：基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器 | 现行 | 2026-01-04 | |
| GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |