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半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

GB/T 6352-1998推荐性国家标准

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上传时间：2026-02-20
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更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 4586-1994半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管现行1994-12-301995-08-01
GB/T 21039.1-2007半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范现行2007-06-292007-11-01
GB/T 6352-1998半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 29332-2012半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)现行2012-12-312013-06-01
GB/T 4587-2023半导体器件分立器件 第7部分：双极型晶体管现行2023-09-072024-04-01
GB/T 7576-1998半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6219-1998半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6217-1998半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
GB/T 6590-1998半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范现行1998-11-171999-06-01
SJ/T 9014.8.2-2018半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范现行2018-04-302018-07-01
GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管废止1994-12-301995-08-01
GB/T 4023.4-2026半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管即将实施2026-04-302026-11-01
SJ/T 11848-2022半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11851-2022半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11850-2022半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11849-2022半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
GB/T 6217-2026半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范即将实施2026-03-312026-10-01
GB/T 7576-2026半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范即将实施2026-03-312026-10-01