Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YS/T 1059-2015 | 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| YS/T 15-2015 | 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11470-2014 | 发光二极管外延片 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| GB/T 30856-2014 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| JB/T 5631-1991 | 半导体器件外延炉能耗分等 | 废止 | 1991-08-27 | 1992-07-01 |
| YS/T 23-1992 | 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| YS/T 15-1991 | 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法 | 废止 | 1991-04-26 | 1992-06-01 |
| DB13/T 5118-2019 | 4H 碳化硅 N 型同质外延片通用技术要求 | 废止 | 2019-11-28 | 2019-12-28 |
| GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 30652-2014 | 硅外延用三氯氢硅 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |