Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11275-2002 | 卧式液相外延系统通用规范 | 现行 | 2002-10-30 | 2003-03-01 |
| YS/T 23-2016 | 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 35308-2017 | 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 30854-2014 | LED发光用氮化镓基外延片 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 36646-2018 | 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 14847-2025 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZZB 2833-2022 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法（外文版EN） | 现行 | 2024-04-12 | |
| YS/T 1060-2015 | 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |