| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43967-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-04-25 |
| GB/T 33210-2025 | 无损检测 基于逆磁致伸缩效应的残余应力检测方法 | 现行 | 2025-08-29 | 2025-08-29 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| GB/T 46217-2025 | 聚合物基压电复合材料电离辐射效应试验方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| T/CNS 82-2022 | 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法 | 现行 | 2022-12-16 | 2023-04-01 |
| T/CNS 81-2022 | 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法 | 现行 | 2022-12-16 | 2023-04-01 |
| T/SZAA 001-2024 | 车身域控制器场效应管负载能力试验方法 | 现行 | 2024-11-14 | 2024-11-30 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/GDCKCJH 024-2020 | 有源单模光纤激光暗化效应测试方法 | 现行 | 2020-08-21 | 2020-10-01 |
| DL/T 2979.1-2025 | 电力设备大气辐射试验方法 第1部分：集成电路中子单粒子效应 | 即将实施 | 2025-12-18 | 2026-06-18 |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| DB13/T 5695-2023 | GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 | 废止 | 2023-05-06 | 2023-06-06 |
| GB/T 47824-2026 | 飞行器模型气动光学效应风洞试验方法 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 42846-2023 | 空间环境 非金属材料空间辐射效应地面模拟方法 | 现行 | 2023-08-06 | 2023-08-06 |
| GB/T 4937.44-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| T/GDCKCJH 024-2020 | 有源单模光纤激光暗化效应测试方法 | 现行 | 2020-08-21 | 2020-10-01 |
| EJ/T 903.8-1994 | 闪烁体性能测量方法 温度效应 | 现行 | 1994-10-24 | 1995-01-01 |