Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4937.14-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.201-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.15-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.30-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.21-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.11-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.20-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.22-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 20870.1-2007 | 半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 | 现行 | 2007-09-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.3-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 | 现行 | 2013-02-15 | 找相似 |
| GB/T 4937.4-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） | 现行 | 2013-02-15 | 找相似 |
| GB/T 16464-1996 | 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1997-01-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |