| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15649-1995 | 半导体激光二极管空白详细规范 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 10436-1993 | 半导体电阻应变计空白详细规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 29856-2013 | 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法 | 现行 | 2013-11-12 | 2014-04-15 |
| GB/T 39771.1-2021 | 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分：要求与等级分类方法 | 现行 | 2021-03-09 | 2021-10-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 15651.6-2023 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 39771.2-2021 | 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法 | 现行 | 2021-03-09 | 2021-10-01 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11397-2009 | 半导体发光二极管用萤光粉 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11399-2009 | 半导体发光二极管芯片测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11401-2009 | 半导体发光二极管产品系列型谱 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11577-2016 | SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |