| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 32817-2016 | 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 | 现行 | 2016-08-29 | 2017-03-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11817-2022 | 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11818.3-2022 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10705-1996 | 半导体器件键合丝表面质量检验方法 | 现行 | 1996-07-22 | 1996-11-01 |
| SJ/T 10535-1994 | 半导体器件用钨舟 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| GB/T 7423.3-1987 | 半导体器件散热器 叉指形散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 8446.1-2022 | 电力半导体器件用散热器 第1部分：散热体 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| T/CI 544-2024 | 低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程规范 | 现行 | 2024-10-08 | 2024-10-08 |
| T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| JB 5842-1991 | 电力半导体器件用管芯定位环 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| JB 5843-1991 | 电力半导体器件用接插件 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| YD/T 2001.2-2011 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |