Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 20870.4-2024 | 半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 | 现行 | 2024-10-26 | 2024-10-26 |
| GB/T 8446.3-2022 | 电力半导体器件用散热器 第3部分：绝缘件和紧固件 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 15879.4-2019 | 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系 | 现行 | 2019-08-30 | 2019-12-01 |
| GB/T 15291-2015 | 半导体器件 第6部分：晶闸管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 45721.1-2025 | 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 11818.3-2022 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 8446.1-2022 | 电力半导体器件用散热器 第1部分：散热体 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| YD/T 2001.2-2011 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 15879-1995 | 半导体器件的机械标准化 第5部分:用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值 | 废止 | 1995-12-22 | 1996-08-01 |
| GB/T 8446.3-2004 | 电力半导体器件用散热器 第3部分:绝缘件和紧固件 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 8446.2-2004 | 电力半导体器件用散热器 第2部分:热阻和流阻测试方法 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 8446.1-2004 | 电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 4937.25-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 42706.3-2025 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第3部分：数据 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.24-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 20521.2-2025 | 半导体器件 第14-2部分：半导体传感器 霍尔元件 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |