Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes
现行
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 17574-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 9424-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17572-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 42709.7-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 13062-2018 | 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 4937.31-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的） | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 4937.23-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 42706.2-2023 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 43035-2023 | 半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 4937.42-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分：温湿度贮存 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 4937.32-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的） | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 4937.27-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM） | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 11498-2018 | 半导体器件 集成电路 第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 42706.5-2023 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 15879.604-2023 | 半导体器件的机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 20870.10-2023 | 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 42709.5-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 42706.1-2023 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第1部分：总则 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |