Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 40: Test methods of MEMS inertial shock switch threshold
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11705-2018 | 微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法 | 现行 | 2018-04-01 | 找相似 |
| SJ/T 11703-2018 | 数字微电子器件封装的串扰特性测试方法 | 现行 | 2018-04-01 | 找相似 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1996-04-01 | 找相似 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1995-08-01 | 找相似 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-11-01 | 找相似 |
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| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2001-10-01 | 找相似 |
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| GB/T 13150-2005 | 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-10-01 | 找相似 |
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| GB/T 17574.9-2006 | 半导体器件 集成电路 第2-9部分：数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范 | 现行 | 2007-05-01 | 找相似 |
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| GB/T 20522-2006 | 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 | 现行 | 2007-02-01 | 找相似 |