| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/GVS 006-2022 | 半导体射频电源和微波电源的输出偏差稳定性测量方法 | 现行 | 2022-05-27 | 2022-05-27 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.10-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.7-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.2-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.8-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.11-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.14-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 2658.16-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.15-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |