Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 9: Performance testing methods of one transistor and one resistor (1T1R) resistive memory cells
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 47239.8-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| GB/T 42709.22-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第22部分：柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 47239.4-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第4部分：柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.5-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第5部分：柔性材料热特性测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.3-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第3部分：柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.2-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.6-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第6部分：柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.1-2026 | 半导体器件柔性可拉伸半导体器件 第1部分：柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 42709.2-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 42709.3-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 42709.8-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.35-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 38001.54-2026 | 柔性显示器件 第5-4部分：可拉伸光学性能测试方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2026-12-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 1990-12-06 | 2003-05-01 |