| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| GB/T 10067.34-2015 | 电热装置基本技术条件 第34部分：晶体管式高频感应加热装置 | 现行 | 2015-10-09 | 2016-05-01 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
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| GB/T 12300-1990 | 功率晶体管安全工作区测试方法 | 现行 | 1990-03-15 | 1990-08-01 |
| GB/T 16468-1996 | 静电感应晶体管系列型谱 | 现行 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| GB/T 15449-1995 | 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1995-01-05 | 1995-08-01 |