| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| GB/T 33763-2017 | 蓝宝石单晶位错密度测量方法 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-06-02 | 2021-05-01 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 47080-2026 | 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 41325-2022 | 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 8760-2006 | 砷化镓单晶位错密度的测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 14140-2025 | 半导体晶片直径测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 44631-2024 | 晶片承载器传输并行接口要求 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 16596-2019 | 确定晶片坐标系规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 26066-2010 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| YS/T 27-1992 | 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法 | 现行 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |