中功率半导体发光二极管芯片技术规范

Technical specification for middle power light-emitting diode chips

GB/T 36357-2018 推荐性国家标准

现行

GB/T 36357-2018 相似标准 第10页

更新时间 2026-10-25
标准号 标准名称 状态 实施日期 相似标准
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GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法 现行 2014-04-15 找相似
GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范 现行 1995-11-01 找相似
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SJ/T 10259-1991 半导体集成电路CD2822CP双音频功率放大器详细规范 现行 1992-01-01 找相似
SJ/T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 现行 2023-01-01 找相似
SJ/T 11851-2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 现行 2023-01-01 找相似
SJ/T 11850-2022 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行 2023-01-01 找相似
SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 现行 2023-01-01 找相似
T/CPSS 1004-2025 车规级功率半导体模块动态特性测试规范 现行 2025-01-23 ——
T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法 现行 2022-07-18 ——
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