| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | 废止 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 22453-2008 | 硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 | 废止 | 2009-04-01 | 找相似 |
| GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1990-01-01 | 找相似 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1990-01-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/CECA 83-2023 | 钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法 | 现行 | 2023-06-20 | —— |
| GB/T 30118-2026 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片 规范与测量方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 35306-2023 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 12964-2018 | 硅单晶抛光片 | 现行 | 2019-06-01 | 找相似 |
| GB/T 26069-2022 | 硅单晶退火片 | 现行 | 2022-10-01 | 找相似 |
| GB/T 32282-2015 | 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 | 现行 | 2016-11-01 | 找相似 |
| GB/T 12962-2015 | 硅单晶 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |